Новости2 мин чтенияДата по событию
HBM4 запущена в серийное производство у всех трёх производителей DRAM
Samsung, Micron и SK hynix в 2026 году вывели HBM4 в серию. Стеки делаются на тех же передовых пластинах DRAM, что и серверная DDR5, поэтому распределение RDIMM не ослабевает.
InTechnologies
hbm · memory · samsung · sk-hynix
Samsung 12 февраля 2026 года сообщила о начале серийного производства HBM4 и отгрузке заказчикам, по её словам, первой в отрасли коммерческой HBM4. Компания указывает скорость 11,7 Гбит/с на контакт с запасом до 13 Гбит/с и отмечает, что стеки выполнены по её техпроцессу 1c DRAM с базовым логическим кристаллом 4 нм. Объявление последовало за сообщениями о том, что Samsung прошла квалификацию Nvidia для платформы Vera Rubin, требования которой к скорости на контакт были подняты выше 11 Гбит/с.
Micron 16 марта на конференции Nvidia GTC подтвердила, что её 12-слойная HBM4 ёмкостью 36 ГБ вышла на серийные отгрузки в первом квартале 2026 года для ускорителей Vera Rubin, со скоростью свыше 11 Гбит/с на контакт и пропускной способностью более 2,8 ТБ/с на стек, а образцы 16-слойных стеков на 48 ГБ переданы заказчикам. SK hynix, крупнейший поставщик HBM, на звонке по итогам второго квартала 29 июля сообщила аналитикам, что начала серийное производство и поставки HBM4 ключевым заказчикам во втором квартале, что выход годных и качество приближаются к зрелому уровню предыдущего поколения, а HBM4E идёт по графику с выходом на полномасштабное производство в 2027 году.
Почему это важно покупателям DDR5
HBM4 собирается из тех же передовых кристаллов DRAM и на тех же линиях, что и DDR5 для серверных RDIMM. Оценка TrendForce от 29 сентября: HBM и обычная DRAM по-прежнему конкурируют за ограниченные мощности передовых техпроцессов и пластины, рынок HBM останется дефицитным до конца 2027 года, а средняя цена HBM в следующем году вырастет на 121% по мере роста доли HBM4. При таких ценах на HBM4 у производителей есть все основания держать пластины под HBM, а не возвращать их на массовую DDR5.
Для рынка обычной памяти из этого следуют три вещи:
- Биты: каждый стек HBM4 потребляет двенадцать или шестнадцать кристаллов DRAM, поэтому мощности, добавленные под HBM4 в 2026 году, ничего не добавляют к предложению RDIMM.
- Сроки: SK hynix заявила о планомерном наращивании мощностей HBM4, а Samsung ожидает более чем трёхкратного роста продаж HBM в 2026 году, так что нагрузка на пластины в ближайшие кварталы будет расти, а не снижаться.
- Структура продукта: TrendForce ожидает, что разработчики ускорителей в 2027 году будут рассматривать 8-слойные стеки, чтобы растянуть ограниченные биты HBM, — признак того, насколько напряжённым останется предложение.
Что это значит для покупателей
Для отдела закупок в Персидском заливе или Центральной Азии запуск HBM4 — главная причина, по которой распределение DDR5 в ближайшее время не ослабнет. Планируйте серверную память под обновления 2027 года уже сейчас, указывайте ёмкости RDIMM DDR5-5600 и DDR5-6400, которые находятся в массовом производстве (в первую очередь 64 ГБ), и держите заказы открытыми под частичные поставки, а не отменяйте их при сдвиге срока. Уточняйте у поставщиков, чьи кристаллы DRAM стоят в модулях: распределение различается по брендам и по кварталам. InTechnologies поставляет RDIMM Samsung, SK hynix и Micron и может подсказать, какие ёмкости сейчас реально отгружаются.
Источники
- 01Samsung Ships Industry-First Commercial HBM4 With Superior Performance for AI Computing2026-02-12
- 02Micron announces production ramp for HBM4, 192GB SOCAMM2 and 9650 Gen 6 SSD2026-03-17
- 03[Conference Call] SK hynix: HBM4 Mass Production Yield and Quality Approaching Maturity2026-07-29
- 04HBM Supply Constraints Persist, 2027 Price Outlook Revised Upward with Blended ASP Forecast to Rise 121% YoY, Says TrendForce2026-09-29
В каталоге

SK hynix 64GB DDR5-5600 ECC RDIMM (2Rx4)
Квалифицированный производителями серверов второй источник памяти 64 GB DDR5-5600

Samsung 128GB DDR5-5600 ECC RDIMM (2Rx4, 32Gb)
Двухранговый модуль 128 GB DDR5-5600 на кристаллах 32 Gb для резидентных баз данных и плотной виртуализации